Tranzistori bipolari si MOSFET (BC, BD, BU, 2SC, 2SD, IRF), tiristoare si triace pentru reparatii electronice si montaje DIY. Preturi pe bucata, stoc mare.
Toate din Componente electronice
Circuite integrate
952
Tranzistori si tiristori
342
Condensatori
325
Rezistente
294
Componente LCD
201
Trafo linii
202
Leduri
99
Diode si punti redresoare
92
Alte componente electronice
65
Sigurante fuzibile
40
Quartz, bobine si ferite
38
Potentiometre
36
Spray-uri tehnice
32
Placi de prototipare si cablaje
25
Socluri integrate
24
Redresoare
10
Carcase si cutii pentru electronica
8
Afisaje si display-uri
6
Circuite integrate
952
Tranzistori si tiristori
342
Condensatori
325
Rezistente
294
Componente LCD
201
Trafo linii
202
Leduri
99
Diode si punti redresoare
92
Alte componente electronice
65
Sigurante fuzibile
40
Quartz, bobine si ferite
38
Potentiometre
36
Spray-uri tehnice
32
Placi de prototipare si cablaje
25
Socluri integrate
24
Redresoare
10
Carcase si cutii pentru electronica
8
Afisaje si display-uri
6
Tranzistori si tiristori
-
Tranzistor MOSFET 2SK1358-TOS
N-FET 900V 9A 150W
11,71 lei
-
Tranzistor 2SC3807-SAN
SI-N 30V 2A 15W 260MHZ
0,85 lei
-
Tranzistor 2SC5696
Si-N 1600V, 12A, 85W
6,39 lei
-
Tranzistor BD651
BD651 - tranzistor, pentru comutatie si amplificare, piesa uzuala in reparatii si montaje electronice.Caracteristici Categorie: Componente electronice UtilizareVerifica marcajul exact de pe piesa defecta si dispunerea terminalelor inainte de lipire. La tranzistoarele de putere remonteaza radiatorul si izolatia.In magazin gasesti tranzistoare de mai multe tipuri si puteri.
3,69 lei
-
Tranzistor MOSFET RD06HVF1-101
DESCRIPTIONRD06HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=175MHz APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF band mobile radio sets.
12,49 lei
-
Tranzistor MOSFET RD70HVF1-101
DESCRIPTION RD70HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF High power amplifiers applications. FEATURES •High power and High Gain: Pout>70W, Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHz Pout>50W, Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHz •High Efficiency: 60%typ.on VHF Band •High Efficiency: 55%typ.on UHF Band APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF Band mobile radio sets.
180,71 lei